eBRAIN-J
 


生産性と信頼性を考慮した実装技術のポイントを示唆
次世代パワーデバイスの実装技術と最新動向
〜SiC,GaNパワーデバイスの選定とその特徴の活かし方をわかりやすく指導〜


■日時 2018年 6月29日(金)10:30〜16:30
■会場 産業科学システムズ会議室(東京・飯田橋)(地図はこちら
■受講料 1名48,600円(受講料45,000円+消費税(8%)3,600円)
2名以上1名45,360円(受講料42,000円+消費税(8%)3,360円)≪セミナーコード 1101-180629≫

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【よくある質問(FAQ)】 ※お申込む前に必ずご覧下さい。          

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※開催日前14日目以降のキャンセルはお受けできませんので、
都合が悪い場合は代理の方がご出席をされますようご配慮をお願いします。
※録音機等の持込みはご遠慮願います。




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開催にあたって
講座の趣旨・POINT
1. 最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境問題や電力消費削減に貢献する技術であり、我が国が世界をリードして行ける分野である。さらに今後の成長分野として注目される。
2. IoT、AI(人工知能)、ロボティクスおよび宇宙開発といった先進分野においてもパワーエレクトロニクス 技術が必要不可欠である。
3.パワーエレクトロニクス装置の中核を成すパワー半導体においてはSiからSiC/GaNへの大きな変化が始まっている。

本講座は、次世代パワー半導体のアプリーケーション・取り巻く環境から信頼性設計までを、パッケージ(実装)技術を中心に解説します。次世代パワー半導体の制御回路, 基板の設計・製造に携わるエンジニアの皆様に最新の技術をお伝えします。


講師
富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部 工学博士 両角朗氏


プログラム(各項目とも質疑応答含む)
●Study and Learning 
 T. パワーエレクトロニクスとパワー半導体
 1. パワーエレクトロニクスの歴史
 2. パワー半導体の歴史
 3. パワー半導体のアプリケーション
 4. パワー半導体を取り巻く環境 (動向)
 U. パワー半導体素子とパッケージの動向
 1. パワー半導体素子の動向 
 2. パッケージの動向
 3. WBG(Wide-band-Gap)半導体の動向
 4. パワー半導体モジュールの要求性能
 V. パワー半導体モジュールのパッケージ技術T
 1. モジュールの構造と機能
 2. 接合技術 (はんだ接合, 次世代半導体に対応した高耐熱接合)
 3. 接続技術 (ワイヤボンディング, リードフレーム接合など)
 W. パワー半導体モジュールのパッケージ技術U
 1. 封止技術 (シリコーンゲル, ハードレジン)
 2. 絶縁技術 (セラミック, 樹脂絶縁)
 3. 放熱技術 (TIM, 冷却器, 直接水冷)
 X. 信頼性
 1. インバータの信頼性
 2. モジュールの破壊メカニズム
 3. モジュールの信頼性設計技術
 4. 高信頼性化事例
 ●Solution and Consulting / 質疑応答
 【事前アンケートのご質問について解説致します】※内容によって一部回答できない場合もございますので、ご了承願います。



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