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書籍名 半導体発光デバイスにおける故障(劣化)解析技術とその評価・例
本体価格22,000円+消費税
著者 金沢工業大学大学院 工学研究科
     知的創造システム専攻 教授 工学博士 上田 修
定価 ¥22,000
発行日など 1995年12月発行  A4版  156ページ  
目次 送料別途 
 T.序論
   1.背景―光半導体デバイスの開発
   2.光半導体デバイスの劣化
   3.本講の目的とその概要
 U.実験手順
   1.序
   2.液相エピキシャル成長
   3.光半導体デバイスの構造
   4.光半導体デバイスの構造
   5.光半導体デバイスの基本特性
   6.光半導体デバイスの寿命試験
   7.材料および劣化素子の評価方法
 V.液相エピキシャル結晶中の欠陥
   1.序
   2.エピキシャル成長時に発生する欠陥
   3.デバイス作製プロセス時に発生する欠陥
   4.まとめ
 W.急速劣化
   1.序
   2.GaAlAs/GaAs系光半導体デバイスの急速劣化
   3.InGaAsP/InP系半導体デバイスの急速劣化
   4.InGaAsP/InGaP系光半導体デバイスの急速劣化
   5.異なるIII-V材料における非発光再結合による
    欠陥反応の比較
   6.急速劣化の抑制方法
   7.まとめ
 X.遅い劣化
   1.序
   2.GaAlAs DH LEDの遅い劣化
   3.InGaAsP/InP DH LEDの遅い劣化
   4.GaAlAs/GaAs系光半導体デバイス
   およびInGaAsP/InP系
   5.GaAlAs/GaAs可視レーザにおける
   遅い劣化の内部応力による促進効果
 Y.衝撃劣化
   1.序
   2.半導体レーザの衝撃劣化
   3.LEDの衝撃劣化
   4.衝撃劣化の抑制方法
   5.まとめ


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