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書籍名 第44回ISSEC 先進デバイス技術シンポジウム PWB新技術2009論文集
ビルドアップ配線板技術のその後と最新部品内蔵配線板技術開発状況
No.331208311
本体価格34,000円+消費税
著者 T.B2itTM(Buried Bump Interconnection Technology)の開発経緯とその後
ウェイスティ− 代表取締役/大日本印刷梶@技術顧問 福岡義孝氏 福岡義孝氏
U.ALIVHの開発経緯とその後 〜全層IVH構造のALIVH基板の最新開発動向〜
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)開発技術センタ− デバイス技術開発研究所 チームリーダー 越後 文雄氏
V.フジクラの多層FPCの開発状況 〜ビルドアップ技術と一括積層技術〜
(株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部 部長 中尾 知氏
W.EOMINTMの最新技術開発状況
太陽誘電(株)複合デバイス事業部 EOMINプロジェクト 主任研究員 宮崎政志氏
X.EPD/EAD:e-B2itTM(embedded-B2itTM)配線板の最新技術開発状況
 ウェイスティ− 代表取締役/大日本印刷梶@技術顧問 福岡義孝氏 福岡義孝氏
Y.オーク三井/三井金属における最新基板内蔵キャパシタ材料技術開発状況 〜超極薄基板内蔵キャパシタの最新技術動向〜
 TechDream, Inc. President and Founder  府川 佳広氏
Z.多様化する部品内蔵配線板とその技術動向と課題
 日本シイエムケイ(株)営業開発部 副参事 プリント配線板設計士1級  猪川幸司氏
[.フジクラにおける最新部品内蔵配線板技術開発状況 〜極薄WLPを内蔵した全層ポリイミド配線板〜
 (株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部 部長 中尾 知氏
\.エアロゾルデポジションを用いた内蔵キャパシタの開発
 (株)富士通研究所 ビジネスインキュベーション研究所 主管研究員  工学博士 今中 佳彦氏
].エアロゾルCVDを用いた薄膜キャパシタの展開 〜インターポーザー試作例〜
 (株)野田スクリ−ン 取締役 研究開発部長  小川 裕誉氏
定価 ¥34,000
発行日など 2008年12月発行  B5版  268ページ  
内容  リ−ド挿入実装技術に代わり1970年代終焉に始まった表面実装技術に対応すべく、プリント配線板は従来の貫通スル−ホ−ルを必要としないランダムビア/パッドオンビア/スタックトビア構造の可能なビルドアップ配線板技術が1990年初頭より各社にて開発・実用化された。21世紀に入りより低コスト/低工数化を達成するための一括積層技術ならびにより高密度微細配線化を達成するための第二世代ビルドアップ配線板の開発と実用化が進みつつある。さらに配線板と実装技術とを融合化した受動/能動部品内蔵配線板技術が各社にて積極的に開発され、量産・実用化が始まりつつある。本シンポジウムは、1990年代に開発・実用化された第一世代ビルドアップ配線板の現状とその後にスポットを当てるとともに、配線板としての新展開/新パラダイムを構築するであろう各社の部品内蔵配線板技術の最新開発状況を明確にする。
ウェイスティ− 代表取締役 福岡 義孝氏
目次 T.B2itTM(Buried Bump Interconnection Technology)の開発経緯とその後
 1.B2itTMの開発コンセプトならびに開発経緯
 2.B2itTMの特徴/プロセス/構造/信頼性特性
  2.1.B2itTMの特徴/プロセス/構造
  2.2.各種電子機器用途におけるB2itTMの信頼性特性
 3.B2itTM配線板の電気/熱特性/熱応力解析
  3.1.B2itTMのバンプ電流用
  3.2.B2itTMの特性インピーダンスコントロール特性
  3.3.B2itTMの信号伝搬特性
  3.4.B2itTMのサーマルビア特性
  3.5.B2itTMのスタックバンプ熱応力解析結果とその高信頼性と有効性
 4.B2itTM配線板の採用事例
 5.B2itTM配線板開発ロードマップとその新展開
  5.1.Standard/Hyper/Super B2itTMと開発ロードマップ
  5.2.B2itTMの新展開(i-B2itTM&e-B2itTM

U.ALIVHの開発経緯とその後 〜全層IVH構造のALIVH基板の最新開発動向〜
 1.はじめに
 2.全層IVH構造ALIVH技術とは
 3.ALIVH基板の技術動向
 4.ALIVH技術の応用展開
 5.まとめ

V.フジクラの多層FPCの開発状況 〜ビルドアップ技術と一括積層技術〜
 1.全層ポリイミド多層配線板
 2.一括積層配線板
  2.1.導電性ペーストビア
  2.2.部分多層構造
 3.信頼性評価

W.EOMINTMの最新技術開発状況 〜高密度化技術とその応用事例について〜
 1.はじめに
 2.EOMINTMについて
 3.EOMINTMの特徴について
 4.EOMINTMの応用
 5.まとめ

X.EPD/EAD:e-B2itTM(embedded-B2itTM)配線板の最新技術開発状況
 1.はじめに(EPD/EAD技術開発の必要性とその背景)
 2.受動/能動部品内蔵配線板技術のタイプ分類とその特徴
  2.1.受動素子/部品内蔵(EPD)技術のタイプ分類とその特徴
  2.2.能動デバイス/部品内蔵(EAD)技術のタイプ分類とその特徴
 3.開発の背景とタイプ分類
 4.内層受動素子膜形成技術の開発状況(厚膜および薄膜)
  4.1.厚膜(低温熱硬化ペースト:PTF)受動素子内蔵形成配線板技術の開発状況
  4.2.薄膜受動素子内蔵配線板技術の開発状況(TSV付きSi-Interposer)
 5.受動/能動混載部品内蔵配線板のプロセス/構造/信頼性
  5.1.市販チップ部品内蔵配線板(EPD)のプロセス/構造/信頼性
  5.2.受動/能動混載部品内蔵配線板(EPD/EAD)のプロセス/構造/信頼性
 6.e-B2itTMの電気特性
  6.1.各種実装形態に於けるキャパシタパ内蔵配線板の電気特性
  6.2.表面実装技術(SMT)と能動デバイス内蔵配線板技術(EAD)との電気特性比較
 7.e-B2itTMの採用(量産)事例
  7.1.市販チップ部品内蔵配線板(EPD)の採用事例
  7.2.受動/能動混載部品内蔵配線板(EPD/EAD)の採用事例

Y.オーク三井/三井金属における最新基板内臓キャパシタ材料技術開発状況 〜超極薄基板内蔵キャパシタの最新技術動向〜
 1.会社概要
 2.エンベデッドキャパシタ材料概要
 3.マザーボード用エンベデッドキャパシタ材料
 4.RF回路用エンベデッドキャパシタ材料
 5.パッケージ基板用超高容量極薄エンベデッドキャパシタ材料
 6.その他各種新材料の開発動向

Z.多様化する部品内蔵配線板とその技術動向と課題
 1.部品内蔵技術の種類
  1.1.既存インフラと技術を応用した構造
  1.2.プリント配線板の特長を生かした構造
 2.内蔵部品に要求される仕様
 3.内蔵基板製造装置に要求される仕様
 4.内蔵実装用装置に要求される仕様
  4.1.能動素子埋設
  4.2.受動素子埋設
 5.受動・能動混載内蔵技術における課題
 6.採用製品カテゴリー別で検討されている内蔵構造
 7.業界動向、他

[.フジクラにおける最新部品内蔵配線板技術開発状況 〜極薄WLPを内蔵した全層ポリイミド配線板〜
 1.フジクラのウエハレベルパッケージ(WLP)
 2.WLP内蔵配線板
  2.1.基板内蔵用極薄WLP
  2.2.一括積層埋め込み
 3.構造バリエーション

\.エアロゾルデポジションを用いた内蔵キャパシタの開発
 1.はじめに
 2.エアロゾルデポジション
 3.キャパシタ膜の研究進捗
 4.エンベディドパッシブ技術への展開
 5.おわりに

].エアロゾルCVDを用いた薄膜キャパシタの展開 〜インターポーザー試作例〜
 1.はじめに
 2.薄膜キャパシタ(TFC)の基本構造
 3.薄膜キャパシタ内蔵インターポーザーの作成及び評価
 4.実験結果および考察
  4.1.マイクロブラストによるセラミック基板薄化及び穴あけ加工
  4.2.Agペースト充填による基板貫通電極形成
  4.3.半田ボールボンデング
  4.4.インターポーザー型薄膜キャパシタの作製
 5.まとめ


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